Ce circuit hyperrapide est basé sur la technologie SiGe qui reprend les techniques de fabrication du silicium.
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Une équipe commune à IBM et au Georgia Institute of Technology (Georgia Tech), avec le soutien de la Nasa, a fait la démonstration d'un circuit au silicium fonctionnant à 500 GHz. Pour cela, les chercheurs ont mis à profit la technologie silicium-germanium - ou SiGe : des atomes de germanium sont injectés dans un substrat de silicium - qui a ce double avantage d'un haut niveau de performance et d'une basse consommation. C'est pourquoi la technologie SiGe équipe les téléphones portables. Bien sûr, à un demi- milliard de cycles par seconde (250 fois plus vite que le processeur de votre mobile !), il faut refroidir le système à 4,5 K, à l'hélium liquide. Mais, même à température ambiante, les chercheurs ont pu pousser la fréquence jusqu'à 350 GHz. Actuellement, les processeurs les plus rapides tournent à quelque 4 GHz.
Les applications de cette technologie hyperrapide sont immenses : les télécoms, mais également les systèmes de défense, l'espace ou les capteurs autonomes distants. La technologie SiGe a un autre intérêt, industriel celui-ci : elle se satisfait des techniques de fabrication propres au silicium qui sont éprouvées et bon marché.
John D. Cressler, professeur au Georgia Tech se félicite d'avoir « réalisé ce prototype sur de banales galettes de 200 mm et avec un ensemble de masques nullement optimisés, ce qui laisse envisager sereinement le franchissement de la barre du térahertz. »
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