Un procédé de croissance et de dépôt du graphène sur du silicium en une seule étape a été mis au point par des chercheurs de l’université de Singapour. Leur travail est publié dans la revue Nature.
La croissance du graphène s’est faite sur une couche de cuivre, qui sert de catalyseur, recouvrant le substrat de silicium. Après sa croissance, le cuivre est enlevé tandis que le graphène est maintenu en place par des bulles qui forment des « ponts capillaires », similaires à ceux vus sur les pattes des grenouilles arboricoles lorsqu’elles sont sur des feuilles[…]
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