Un procédé 28 nm utilisant la technologie Fully Depleted Silicon On Insulator (FD-SOI), assorti d'une plate-forme de conception, arrivera bien d'ici la fin de l'année, a confimé la semaine dernière le fondeur de silicium GlobalFoundries en détaillant sa roadmap à l’occasion de la conférence Common Platform, en Californie.
Reposant sur un partenariat avec STMicroelectronics, ce procédé utilise les substrats développés par Soitec. Cette technologie est intéressante pour les fabricants de[…]
Pour lire la totalité de cet article, ABONNEZ-VOUS
Déjà abonné ?
Pas encore abonné ?