Une plate-forme de conception pour le FD-SOI 28 nm

Un procédé 28 nm utilisant la technologie Fully Depleted Silicon On Insulator (FD-SOI), assorti d'une plate-forme de conception, arrivera bien d'ici la fin de l'année, a confimé la semaine dernière le fondeur de silicium GlobalFoundries en détaillant sa roadmap à l’occasion de la conférence Common Platform, en Californie.

Reposant sur un partenariat avec STMicroelectronics, ce procédé utilise les substrats développés par Soitec. Cette technologie est intéressante pour les fabricants de[…]