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Une mémoire universelle pour remplacer les mémoires Flash et Dram

Ridha Loukil

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Une mémoire universelle pour remplacer les mémoires Flash et Dram

Cellule mémoire à double grille flottante

Des chercheurs américains ont développé une technologie de mémoire qui combine la rapidité de la mémoire Dram et la non volatilité de la mémoire Flash.

Une mémoire universelle qui peut jouer tantôt le rôle de mémoire dynamique Dram et tantôt celui de mémoire non volatile Flash. Telle est la technologie qui vient d’être inventée par des chercheurs de la North Carolina State University, aux Etats-Unis. Elle combine l’avantage de rapidité de la Dram et celui de la densité et de la non volatilité de la Flash.

Aujourd’hui, les ordinateurs utilisent comme mémoire centrale la Dram, une puce qui offre l’avantage de la rapidité, mais qui nécessite la rafraichissement de l’information toutes les 16 ms. Et quand le courant est coupé, l’information est définitivement perdue.

De l’autre coté, la mémoire flash, utilisée pour le stockage de donnée sur clés USB ou cartes amovibles, conserve l’information même hors tension. Elle offre aussi l’avantage de la densité. Mais elle est lente.

C’est pourquoi la recherche d’une mémoire universelle alliant les atouts des deux technologies mobilise depuis des années les chercheurs en électronique. Plusieurs pistes technologiques sont actuellement en développement.

Dans la technologie mise au point par les chercheurs de la North Carolina State University, chaque cellule mémoire utilise une double grille flottante à transistor à effet de champ (FET).  La première grille n'est pas étanche, ce qui nécessite un rafraîchissement aussi rapide que  pour la DRAM. Mais en augmentant la tension électrique, les données peuvent être transférées à la seconde grille, qui agit comme une mémoire flash traditionnelle.

En fonctionnement, les ordinateurs utilisant cette technologie comme mémoire centrale pourraient utiliser la première grille. Et dès qu'ils sont inactifs ou éteints, les données sont transférées à la deuxième grille. Puis, quand les valeurs enregistrées doivent être accessibles à nouveau par l'ordinateur, une opération de transfert inverse s'opère.

Les chercheurs vont procéder à des tests pour évaluer le nombre de cycles d’écriture/effacement potentiel. Mais comme la tension électrique est plus basse que pour la mémoire flash, ils pensent atteindre une durabilité plus grande. L'étape suivante serait de fabriquer des mémoires dans cette technologie dès l'année prochaine.

Ridha Loukil

 

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