Une mémoire à changement de phase pour remplacer la mémoire flash

Un matériau à changement de phase (PCM) constitué d’un alliage de gallium et d’antimoine (Ga-Sb) est à l’étude à l’Institut matériaux microélectronique nanosciences de Provence (Im2np). En collaboration avec des chercheurs d’IBM et de l’ESRF, les chercheurs de l’institut ont mis en évidence un comportement inhabituel lors de la cristallisation du matériau qui en fait un matériau prometteur pour les mémoires PCM. En parallèle, IBM présentait en mai 2014 un prototype de stockage de 2,8 Go basé sur les PCM.

Les mémoires non-volatiles devraient remplacer à terme les mémoires flash, qui se heurtent aux limites de miniaturisation. La différence entre ces deux types de mémoires, mémoire flash et mémoire résistive – est que si la première stocke l’information sous forme d’électrons, la seconde utilise le principe de variation de résistance. Parmi  les mémoires résistives,  la mémoire à changement de phase (PCM) est la plus mature. Elle s'appuie sur un matériau dont deux propriétés physiques - la résistance électrique et la réflectivité optique – changent en passant, par effet Joule, de l'état cristallin à l'état amorphe, et inversement. Ces deux changements permettent d’écrire et d’exploiter l’information[…]