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Une couche "Trap Rich" pour améliorer les substrats SOI

Une couche

Un substrat eSI se présente sous la forme d'une galette de 20 centimètres de diamètre

Soitec a annoncé le 8 juillet 2014 une large adoption de ses substrats eSI par les grands fabricants de semi-conducteurs. L’occasion de revenir sur la technologie eSI, dont Soitec annonçait la production en grande échelle en décembre 2013.

Les circuits ou puces radiofréquences sont fabriqués depuis plusieurs années sur des substrats SOI (silicium sur isolant), ceux-ci ayant remplacés en masse les substrats d’arséniure de gallium, il y a environ cinq ans. Or avec le passage de la 3G à la 4G/LTE puis à la LTE Advanced, les fréquences utilisées sont de plus en plus élevées. Ces fréquences élevées (HF) créent des champs qui viennent parasiter et perturber le comportement des substrats SOI. Aussi y-a-t-il besoin de substrats de haute résistivité pour avoir de bonnes performances. Cela est permis grâce à une couche qui vient piéger les charges responsables des interférences. Les substrats eSI de Soitec sont obtenus par l’introduction de cette couche - la couche "Trap Rich" - entre la couche hautement résistive (HR) du substrat support et la couche oxydée. Cette couche limite la conduction parasite de surface[…]

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