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Un transistor sans silicium

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Un transistor sans silicium

Le plus petit transistor Mosfet réalisé en arséniure de gallium d'indium a été présenté par des chercheurs du MIT début décembre 2012 lors du Congrès International Electron Devices Meeting à San Francisco. D'une longueur de 22 nanomètres, il pourrait constituer une alternative à la miniaturisation des composants silicium, qui tend à atteindre ses limites physiques.

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