Le plus petit transistor Mosfet réalisé en arséniure de gallium d'indium a été présenté par des chercheurs du MIT début décembre 2012 lors du Congrès International Electron Devices Meeting à San Francisco. D'une longueur de 22 nanomètres, il pourrait constituer une alternative à la miniaturisation des composants silicium, qui tend à atteindre ses limites physiques.
vous lisez un article d'Industries & Technologies N°0951
Découvrir les articles de ce numéro Consultez les archives 2013 d'Industries & Technologies
