Un transistor Mosfet en diamant dopé au bore a été mis au point par des chercheurs du laboratoire plasma et conversion d’énergie Laplace (CNRS/Université de Toulouse/INP Toulouse) et l’Institut Néel (CNRS). Contrairement au silicium, celui-ci peut utiliser le régime de déplétion profonde (la modification de la répartition des porteurs de charge sous l’oxyde) tout en bénéficiant d’une stabilité à l’état bloqué (même à haute température) et une faible résistance à l’état passant.
Un Mosfet est un transistor à trois pattes : deux permettant de faire passer le courant (le drain et la source), la troisième sert de contrôle - une sorte d’interrupteur - le courant passant entre les deux. « En électronique de puissance, le silicium est le matériau le plus utilisé alors qu’il ne possède pas les meilleures performances électroniques », explique Julien Pernot, chercheur à l’Institut Néel. « Le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN) sont en cours de commercialisation sur les Mosfet. En France, nous avons notre[…]
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