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Un procédé industriel pour le graphène

Sophie Eustache

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Une méthode pour faire croître une couche monocristal de graphène sur un semi-conducteur et ce, de manière industrielle, a été développée par le laboratoire SAIT de Samsung, en partenariat avec l'université Sungkyunkwan, en Corée du Sud. Les chercheurs ont réussi à synthétiser sur une grande surface une couche de graphène, en conservant les propriétés électriques du matériau.

Tout d’abord, une couche mono-cristalline de germanium a été nettoyée, en utilisant un procédé RCA standard suivi d’un traitement par plasma d'oxygène pour éliminer les résidus organiques et créer une couche à terminaison d’hydrogène. Une fois nettoyé de tout résidu organique et d’oxyde, le substrat de germanium à terminaison d’hydrogène (GeH) a été installé dans une chambre CVD, et une nouvelle couche de[…]

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