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Un pas de plus pour la mémoire à changement de phase

J-C. G.

ST MICROELECTRONICS fait franchir à la mémoire PCM les étapes préalables à son industrialisation.

De quelle mémoire non volatile les équipements électroniques seront-ils dotés demain ? Cette question, qui accompagne la prise de conscience des limites de la technologie Flash en termes de miniaturisation et de durabilité, agite de plus en plus le monde des semi-conducteurs. L'une des solutions les plus prometteuses est la mémoire à changement de phase, appelée PCM (Phase Change Memory) ou bien encore OUM (Ovonic Unified Memory), du nom de l'un de ses principaux promoteurs (Ovonyx).

Cette technologie exploite la propriété qu'ont les chalcogénures (à base de soufre, de sélénium ou encore de tellure) de passer de façon réversible d'un état stable à un autre par une simple élévation de la température. L'un est amorphe (à basse résistance électrique) et l'autre est cristallin (à haute résistance électrique).

Quatre ans après avoir signé un accord de RD avec Ovonyx, ST Microelectronics, troisième fournisseur mondial de Flash (type NOR), a présenté ses travaux lors du symposium 2004 sur les technologies VLSI, en juin dernier à Honolulu (Hawaii). Le fabri- cant y a décrit une structure de cellule Ge2Sb2Te5 à microtranchée (u-trench) « facilement intégrable dans un circuit Cmos avancé et caractérisée par une endurance de 100 milliards de cycles (plusieurs ordres de grandeur au-dessus des Flash) ». Le courant de programmation annoncé se limite à 600 microampères, avec un timing de 40 ns ou de 100 ns selon le sens du changement d'état. La durée de rétention des informations atteindrait quant à elle 350 ans à 85 °C... Des résultats encourageants, d'autant qu'un démonstrateur de 8 Mbits, doté de cellules mesurant 0,32 micromètre carré pour des règles de dessin de 0,18 micron, a également été réalisé.

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