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Un matériau pour les capteurs de pression en environnement hostile

Philippe Passebon

Un  empilement SiC/Si/SiC sur un substrat silicium a été réalisé par des chercheurs du groupe de recherche en matériaux, microélectronique, acoustique et  nanotechnologies (Greman) situé à Tours et du centre de recherche sur l’Hétéro-Epitaxie (CRHEA).

Les chercheurs ont utilisé la technique de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression, déjà bien éprouvée, pour réaliser cet empilement dont l’originalité repose sur l’utilisation du carbure de silicium (SiC). Les matériaux classiquement utilisés pour la réalisation de microsystèmes (silicium,[…]

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