Un matériau, appelé oxyde complexe, a été développé par des chercheurs du City College de New York, du Laboratoire national de Brookhave, et de l’Université de sciences et technologies chinoise. Ce matériau multiferroïque, c’est-à-dire doté à la fois de propriétés magnétiques et ferroélectriques, pourrait remplacer les mémoires flash, actuellement réalisées en silicium et pour lesquelles des matériaux tels le graphène ou le molybdénite sont en cours d'évaluation.
En utilisant ces deux propriétés, magnétique et ferroélectrique, il[…]
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