Un circuit intégré souple basé sur du silicium (LSI) a été développé par une équipe du département de science des matériaux et d’ingénierie du Kaist, en Corée du Sud.
Par le procédé CMOS, l’équipe de chercheurs a fabriqué un circuit intégré de radiofréquence (RFIC) interconnecté avec mille nano-transistors intégré sur un wafer en silicium. Pour rendre le dispostif souple, ils ont retiré la[…]
Pour lire la totalité de cet article, ABONNEZ-VOUS
Déjà abonné ?
Pas encore abonné ?