Un avenir sans compromis pour les transistors à haute puissance

Concevoir un transistor est souvent affaire de compromis. La diminution de la résistance pour réduire les pertes d’énergie par conversion s’accompagne naturellement d’une chute de la tension de claquage ce qui limite l’utilisation du dispositif à des applications à basse puissance. Une équipe de scientifiques de l’Ecole polytechnique fédérale de Lausanne (EPFL) en Suisse a mis au point un transistor nanostructuré contenant plusieurs canaux de conduction. Pour une même tension de claquage, leur dispositif affiche une résistance de feuille quatre fois plus faible que les transistors à un seul canal de conduction. Leurs travaux ont été publiés dans Nature electronics le 25 mars 2021.        

Pour abaisser la résistance de leur transistor, et donc en améliorer la conductivité, les chercheurs ont utilisé une structure à plusieurs canaux de conduction. Les multiples canaux permettent de répartir le courant qui circule, et d’éviter ainsi la surchauffe. « C’est comme sur l’autoroute où l’ajout d’une voie de circulation permet de limiter les bouchons », illustre Elison Matioli, l’un[…]