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Toshiba et Hynix s’allient pour la mémoire du futur

Ridha Loukil

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Les industriels japonais et coréen vont coopérer pour le développement et la production de la mémoire Mram, l’une des candidates à la succession de la mémoire flash actuelle.

Deux grands fabricants de mémoires flash joignent leurs forces pour préparer l’avenir : le coréen Hynix Semiconductor et le japonais Toshiba. Ces deux industriels asiatiques ont convenu d'une collaboration stratégique dans le développement et la production de la mémoire magnétorésistive (MRAM - Magnetoresistance Random Access Memory). Ils ont également conclu un accord de licence croisé sur leurs brevets dans ce domaine.

La MRAM constitue l’une des technologies de mémoire du futur censée succéder à la mémoire flash actuelle. En effet dans les années à venir, la mémoire flash sera confrontée à des limitations de montée en densité.

Mais développer une nouvelle technologie présente des risques. L’objectif du partenariat entre  Hynix et Toshiba est de les minimiser et d'accélérer le rythme de la commercialisation de MRAM en partageant expertise et ressources de développement.

La MRAM offre l’avantage d’être non volatile (elle conserve l’information en dehors du courant) comme la mémoire flash, avec en plus le potentiel de monter en densité, d’augmenter la vitesse d’écriture, de ''booster'' la cyclabilité et de réduite la consommation d’énergie. Mais son développement et sa production constituent un grand défi car cette mémoire combine électronique et magnétisme, un mariage difficile à maitriser.

Ridha Loukil

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