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STMicroelectronics et Soitec coopèrent sur les capteurs d'images 3D

Les deux partenaires vont développer ensemble une nouvelle génération de technologie d'imageurs CMOS plus performants et plus compacts destinés au marché des terminaux portables.


Le fabricant franco-italien de semi-conducteurs STMicroelectronics et le spécialiste français des plaques de silicium sur isolant Soitec ont convenu de collaborer pour le développement, au niveau tranche de 300 mm de diamètre, d'une nouvelle technologie de capteurs d'image Cmos à éclairage face arrière (BSI - backside illumination) destinées aux produits grand public.

La résolution des capteurs d'image connaît une augmentation continue alors que la demande est forte pour réduire l'encombrement du module caméra, notamment dans les téléphones mobiles. Ceci implique de développer des pixels de taille réduite tout en préservant la sensibilité, afin de produire des images de haute qualité. L'éclairage face arrière est une technologie clé qui permet de relever ce défi.

L'accord entre les deux sociétés inclus la licence par Soitec à STMicroelectronic de la technologie de collage de plaques Smart Stacking pour la réduction de taille par empilage des différentes fonctions du module caméra. Cette technologie de fabrication de puces en 3D, développée par l'unité Tracit de Soitec, utilise la technique de collage moléculaire, ainsi que les technologies d'amincissement chimique et mécanique.

STMicroelctronics va développer une nouvelle génération de capteurs d'images basée sur sa technologie dérivée CMOS avancée de 65 nm et au-delà, sur tranche 300 mm sur son site de Crolles (38). « La technologie d'éclairage par face arrière est un ingrédient clé dans la course à la qualité d'image avec des pixels de petites dimensions pour développer des capteurs d'image de hautes performances », estime Eric Aussedat, Group Vice-President et Directeur Général de la Division Imagerie de STMicroelectronics.

Ridha Loukil

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