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Sharp dévoile ses travaux sur la prochaine génération de mémoires

Industrie et  Technologies

Le géant japonais a présenté la technologie de base de sa mémoire RRAM destinée à succéder à la mémoire Flash actuelle.



A la conférence International Electron Devices Meeting (IEDM), qui s'est déroulée du 11 au 13 décembre à San Francisco, aux Etats-Unis, Sharp a révélé la technologie de base de sa mémoire RRAM (Resistive Random Access Memory), une des candidates à la succession de la mémoire Flash actuelle, qui équipe clés USB, baladeurs MP3, appareils photos numériques ou téléphones mobiles.

Cette technologie se caractérise par une vitesse d'écriture 100 fois supérieure à celle de la mémoire Flash. Elle est développée en collaboration avec le National Institute of Advanced Industrial Science & Technology, au Japon. Sharp a dévoilé les premiers résultats de ces recherches.

La mémoire RRAM se base sur le changement de la résistance d'un oxyde métallique pour enregistrer l'information sous forme binaire. Elle présente l'avantage de fonctionner à faible voltage et à haute vitesse. Jusqu'ici, les recherches n'avaient pas permis de comprendre les changements de résistance qui intervenaient dans le film mince en oxyde métallique.

Sharp semble avoir élucidé le mystère. Le constructeur affirme avoir réussi à commuter l'état d'une cellule de base à une vitesse 100 fois supérieure à celle admissible dans les mémoires Flash, et ce en utilisant une tension unique. Le secret réside dans le développement d'une architecture plus simple et plus miniaturisée de cellules qui nécessitent moins de courant pour leur contrôle. Les matériaux utilisés seraient compatibles avec les procédés Cmos actuels, utilisés pour la fabrication de puces électroniques.
Sharp poursuit le développement dans des objectifs d'intégration électronique et de fabricabilité.

Ridha Loukil

Pour en savoir plus : http://sharp-world.com
 

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