LE + : Diminue le nombre d'étapes de fabrication
Pour augmenter la puissance de nos circuits électroniques, il faut réduire sans cesse la taille de leurs composants. Problème, les lasers ne peuvent atteindre un diamètre inférieur à 180 nanomètres. La limite a été ramenée à 30 nm, au prix d'une multiplication des étapes de lithographie. « Du bricolage », pour Ian Cayrefourcq, du département d'électronique d'Arkema. Son équipe, en partenariat avec le Leti du CEA, développe une technique qui atteint les mêmes résultats en une étape après le passage du laser : l'assemblage automatique et dirigé (DSA). Les motifs gravés dans le silicium sont recouverts de polymère à bloc (PSP et PMMA) en réseaux laminaires (50/50) ou cylindriques (30/70). Dirigés par leurs caractéristiques, ils vont s'étendre et permettre d'atteindre des espacements périodiques de seulement 30 nm entre deux motifs. Pour Arkema, cette technologie devrait être utilisée pour les deux prochaines générations de microprocesseurs.
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