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Picogiga lance la pré-production de substrats composites

Industrie et  Technologies
Ces substrats sont destinés aux dispositifs de puissance à base de nitrure de gallium.


Entité du groupe Soitec, Picogiga International annonce aujourd'hui le démarrage de la pré-production du SopSiC (silicium sur carbure de silicium polycristallin), substrat fabriqué à partir de la technologie Smart Cut, destiné aux dispositifs de puissance RF à base de nitrure de gallium.

Le SopSiC comble le vide existant dans la gamme des substrats destinés à des dispositifs HEMT (Transistor à Très Haute Mobilité) à base de nitrure de gallium (GaN), entre le silicium visant des puissances moyennes à faible coût, et le carbure de silicium (SiC) sélectionné pour des applications de hautes performances à coût élevé.

Il s'agit d'une solution économique pour les composants de forte puissance utilisés dans les systèmes radiofréquence tels que les radars, les communications satellite ou les stations de base pour les réseaux de communication sans fil. Cette solution est nettement plus performante que le silicium et considérablement moins coûteuse que le SiC.

La structure SopSiC comprend d'une part un substrat support de carbure de silicium polycristallin, puis une couche intermédiaire d'oxyde de silicium et enfin une couche mince supérieure de silicium de forte résistivité. La couche supérieure sert de germe pour la croissance des couches de GaN épitaxiées par MBE (épitaxie par jets moléculaires) ou MOCVD (épitaxie par dépôt chimique en phase vapeur).

La couche inférieure de carbure de silicium polycristallin permet une conduction efficace de la chaleur générée par des dispositifs HEMT à forte puissance. Le SopSiC va permettre pour la première fois l'industrialisation de tranches composites épitaxiées alliant les technologies Smart Cut et MBE.

Des échantillons en diamètres de 3 et 4 pouces sont désormais disponibles pour les clients. Le procédé de fabrication n'est pas limité à des tranches de faible diamètre comme le SiC, mais peut être étendu à des tailles de tranches identiques à celles du silicium. Une version 6 pouces est en cours de développement.

Michel le Toullec

Pour en savoir plus : http://www.soitec.com 

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