Des mémoires à semi-conducteurs dopés
- Des chercheurs japonais de l'Institut national des sciences des matériaux (NIMS) étudient l'oxyde de titane pour améliorer la capacité des mémoires à semi-conducteurs. Ils proposent d'empiler des feuilles de TiO2 de 1 nm d'épaisseur chacune. Cette structure en couches limite fortement les courants de fuite et permet de stocker les charges avec une grande densité. Les chercheurs pensent multiplier par 100 la capacité des mémoires conventionnelles à semi-conducteurs.
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