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MICROÉLECTRONIQUE Le premier circuit intégré en gravure de 45 nm

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- Intel a présenté le premier circuit intégré au monde réalisé en technologie Cmos avec une gravure de 45 nm. Il s'agit d'une mémoire vive statique (SRam) intégrant pas moins d'un milliard de transistors. Aujourd'hui, les circuits intégrés les plus avancés bénéficient d'une finesse de gravure de 65 nm. La réduction de la géométrie de gravure augmente la densité des puces électroniques. L'entrée en production de la technologie de 45 nm est programmée pour 2007.

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