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Microélectronique La mémoire à changement de phase sort du labo

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Le développement de la mémoire à changement de phase, l'une des technologies candidates à la succession de la mémoire Flash actuelle, s'accélère. Intel, qui travaille avec STMicroelectronics sur le sujet, prévoit d'échantillonner, à la fin de l'année, le premier produit, un modèle de 128 Mbit réalisé avec une finesse de gravure de 90 nm. Il offre une endurance de 108 cycles, 1 000 fois celle de la mémoire Flash.

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