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Microéléctronique - des puces toujours plus rapides

Rédaction Industrie et Technologies
IBM dévoile un transistor -composant de base des processeurs- fonctionnant à 350 GHz.


IBM annonce avoir créé le transistor le plus rapide du monde, à partir de sa technologie silicium-germanium (SiGe).

Le transistor développé par IBM est 65% plus rapide que les générations précédentes conçues jusqu'à présent par les laboratoires de recherche d'IBM, et 300% plus rapide que les systèmes concurrents  actuellement disponibles sur le marché.

Intégrés par millions dans les microprocesseurs, ce transistor pourrait apparaître  d'ici deux ans, dans des produits commerciaux opérant à des vitesses supérieures à 150 GHz, envisage IBM. Cette avancée affectera sans aucun doute tout le secteur des télécommunications, du sans fil aux réseaux à haut débit.

IBM détient aujourd'hui 80% de ce marché. Selon le cabinet IC Insights de Scottsdale (Arizona), les ventes de transistors à base de silicium-germanium devraient passer de 320 millions de dollars enregistrés en 2001 à 2,7 milliards de dollars en 2006.
Lire le communiqué d'IBM 

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