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Memristor : une mémoire deux fois plus dense dès 2013

Ridha Loukil

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Memristor : une mémoire deux fois plus dense dès 2013

La Memristor utilise une structure de nanofils pour le stockage de données

HP, l’inventeur de cette technologie, commence à la tester en vue d’une production de masse en 2013.

Dans la course à la mémoire du futur, la Memristor de HP franchit une étape clé vers l’industrialisation. Inventée en 2008 par HP Labs, elle entre en phase de test. L’objectif du numéro Un mondial de l’informatique est de passer à la production en volume dès 2013.

Les recherches sur la mémoire du futur visent le remplacement de la mémoire non volatile flash actuelle par une mémoire plus dense, plus rapide et plus durable. Plusieurs technologies, dont certaines déjà sur le marché comme les mémoires Fram, Mram et PCM , sont en lice.

La technologie Memristor utilise un treillis de nanofils pour le stockage des données. Selon HP, elle devrait offrir une densité de stockage d'environ 20 Go/cm² en 2013, soit le double de la densité de la mémoire flash prévue à cette date. Les tests visent à en démontrer la fiabilité et les performances. La Memristor est constituée d’un croisement de deux couches de nanofils métalliques revêtus de dioxyde de titane. Chaque point de croisement constitue un élément Memristor. L’avantage de densité découle de cette structure en croix et de la possibilité d'empiler les couches.

La mémoire flash, utilisée aujourd’hui pour le stockage de masse sur des baladeurs numériques, téléphones mobiles ou clés USB, présente quelques limitations en termes de densité et de durabilité. Elle supporte environ 100 000 cycles d'écriture et, comme tout dispositif à base de transistors en silicium, se heurtera à des limites physiques de miniaturisation. Selon HP, la mémoire Memristor supporte environ un million de cycles de lecture-écriture et la densité peut être accrue simplement en empilant les couches de nanofils.

Ridha Loukil

Pour en savoir plus : http://www.hp.com 

 

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