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Mémoires Flash : Samsung va plus loin dans la miniaturisation

Ridha Loukil

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Le géant coréen lance la fabrication de puces Flash avec une gravure de 30 nm, actuellement la plus fine dans l’industrie des circuits intégrés.

Alors que Toshiba a démarré en avril dernier, au Japon, la production de mémoires Flash en 32 nm, Samsung Electronics surenchérit en lançant, en Corée du Sud, la fabrication du même type de puces électroniques en gravure de 30 nm, soit le niveau de miniaturisation le plus poussé dans l’industrie des circuits intégrés.

Actuellement, les microprocesseurs les plus avancés bénéficient d’une gravure de 45 nm. Il faudra attendre 2010 pour qu’Intel commence à produire en masse des modèles en 32 nm.

La bataille entre Toshiba et Samsung Elelectronics, les deux leaders mondiaux des mémoires Flash, se joue au nanomètre près. Comme chez le japonais, le fabricant coréen propose ses nouvelles puces en capacité maximum de 32 Gbit. De quoi porter la capacité des cartes mémoires amovibles Micro SD, principale application visée à ce stade, à 8 Go.

Reste à comparer la taille des puces chez les deux concurrents. Car si Samsung Electronics enregistre 3 bits par cellule mémoire, Toshiba en stocke 4.

Ridha Loukil

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