Apparue il y a quelques années, la Fram (Ferroelectric random access memory), à la fois non volatile, réinscriptible et rapide, aurait tout pour plaire s'il n'y avait son prix, jugé encore trop élevé.
Pour remédier à ce problème, Ramtron a conçu une mémoire simplifiée dont les cellules de base ne font plus appel qu'à un condensateur et à un transistor, au lieu de deux condensateurs et de deux transistors.
Le principe de base, néanmoins, est inchangé : il exploite les propriétés d'un cristal ferroélectrique (assimilable à un condensateur) dans lequel l'application d'un champ électrique supérieur au champ coercitif (par le biais d'un transistor) suffit à déplacer durablement l'atome central du cristal et à enregistrer un " 0 " ou un " 1 ".
Jusqu'à présent, chaque cellule mémoire était associée à une cellule de référence qui faisait, elle aussi, appel à un condensateur et à un transistor.
En revanche, la nouvelle architecture proposée par Ramtron ne fait plus appel qu'à une cellule de référence pour chaque colonne de la matrice mémoire.
De deux transistors et deux condensateurs par cellule (architecture 2T/2C), on passe (au nombre de colonnes près) à un transistor et un condensateur (architecture 1T/1C), ce qui réduit la surface nécessaire par presque deux.
Premier modèle à bénéficier de cette innovation, la FM24C256-SE est une Fram de 256 Ko, compatible " broche à broche " avec les Eeprom standard de type 24C256. Elle affiche une durée de rétention des informations de 10 ans et peut fonctionner à 1 MHz, tant en écriture qu'en lecture.
Elle est alimentée sous 5 volts et consomme 75 microampères à 100 kHz. Son prix : 3,92 dollars (pour 10000 pièces).
J.-C.G.
