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Les composants passifs sur le chemin de l’intégration 3D

Ridha Loukil

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Les composants passifs sur le chemin de l’intégration 3D

Faciliter l'intégration des composants passifs sur le Silicium.

© DR

Le labo commun, qui vient d’être créé par le Leti et IPEDiA, se penche sur l’intégration 3D de composants passifs sur silicium. Objectif : répondre aux besoins de miniaturisation extrême de certaines applications.

L’intégration de composants passifs comme la capacité, la résistance ou l’inductance dans le silicium aux cotés fonctions traditionnelles des puces électroniques est bel et bien en marche. Le Leti, le laboratoire d’électronique du CEA, et IPDiA, une start-up issue par essaimage de NXP, à Caen (14), veulent amplifier le mouvement en passant à l’intégration 3D. C’est l’objet du laboratoire commun qu’ils viennent de créer.

Ce développement devrait ouvrir la porte de nouvelles applications aux composants passifs intégrés sur des marchés prometteurs tels que l’éclairage à LED, la santé et l’aérospatial, qui nécessitent une miniaturisation extrême. Il promet également de réduire davantage la taille des composants passifs tels que les résistances, condensateurs et inductances.

Le laboratoire commun est spécifiquement conçu pour développer :

 

  • Des composants passifs très haut de gamme sur silicium qui résisteront aux environnements hostiles ;
  • Des montures secondaires pour les composants d’éclairage ;
  • Des technologies d’assemblage innovantes permettant une ultra-miniaturisation des futurs produits.

 

Créé en 2009,  IPDiA développe des technologies d’intégration de composants passifs sur silicium principalement pour l’éclairage à LED,  le médical, l’industriel, l’aérospatial et la défense. A travers sa collaboration avec le Leti, elle vise le développement d’une prochaine génération de composants passifs intégrés de  1 µF/mm² puis 2µF/mm², contre 250 nF/mm² pour la génération actuelle.

Ridha Loukil

 

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