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Les circuits mémoire 16 Mbit les plus compacts du marché

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Les R1LA1616R et R1LV1616R

Renesas Technology commercialise une nouvelle famille de circuits mémoire, baptisés SuperSram, dont les premiers modèles seraient les plus compacts au monde dans la catégorie 16 Mbit (32 mm2 environ pour la taille de puce). Réalisée en technologie 0,15 µm, la SuperSram est en effet deux fois moins gourmande en silicium qu’une Sram conventionnelle, cela grâce à une technologie originale empruntant à la fois aux Sram et aux Dram.

Par ailleurs, à la différence d’une P-Sram (mémoire vive pseudo-statique), une SuperSram n’a pas besoin d’être rafraîchie : l’information stockée dans la cellule mémoire est automatiquement conservée. L’emploi de condensateurs empilés lui confère en outre une structure extrêmement résistante vis-à-vis des erreurs logiques occasionnées par les rayonnements alpha et les flux de neutrons. Par rapport à une Sram conventionnelle, le taux d’erreurs logiques est plus de 100 fois inférieur.

Proposés en versions 1,8 volts (R1LA1616R) ou 3 volts (R1LV1616R), les deux premiers circuits de cette famille ciblent plus particulièrement l’électronique portable (téléphones mobiles…) et les applications industrielles nécessitant une grande miniaturisation. Tous deux sont proposés dans deux types de boîtiers : TSOP à 52 broches (10,79 x 10,49 mm) au pas de 0,4 mm, ou bien BGA de 48 contacts (7,5 x 8,5 mm) au pas de 0,75 mm. Les premiers échantillons seront disponibles au mois de novembre 2003. J.-C.G.

Pour en savoir plus, lire le communiqué (en anglais) :
http://www.sg.renesas.com/news/press/080903/index.html

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