Récepteur radio à 650 GHz. La puce mesure 1,2 x 0,6 mm
A l’occasion de la ISSCC (International Solid-State Circuits Conference), la conférence de référence dans les semiconducteurs, qui s’est tenue à San Francisco, aux Etats-Unis, du 07 au 11 février 2010, les chercheurs européens ont démontrés deux résultats du projet Dotfive : un émetteur-récepteur radio à ondes millimétriques fonctionnant à 160 GHz et un récepteur d’imagerie offrant une bande de fréquences de 650 GHz. Les deux circuits sont réalisés, non pas dans un semiconducteur exotique III-V (comme l’arséniure de gallium), mais en silicium-germanium.
Lancé en janvier 2008 avec un budget de 14,7 millions d’euros sur trois ans, Dotfive réunit 15 partenaires dont STMicroelectronics (le coordinateur), Infineon et l’institut de recherche belge en microélectronique IMEC. Objectif : développer les bases technologiques des circuits radio à ondes millimétriques fonctionnant jusqu’à 650 GHz, contre aujourd’hui au maximum 350 GHz pour des circuits en production.
Dans ces bandes de fréquences, les circuits font habituellement appel à un semiconducteur III-V comme l’arséniure de gallium. Mais dans les applications à faibles puissances (quelques watts), l’utilisation du silicium-germanium s’annonce prometteur en termes d’intégration électronique et de réduction des coûts. Deux conditions pour des applications grand public comme les radars anticollision sur les voitures ou les dispositifs de transmission de flux vidéo HD sans compression du tuner vers l’écran plat.
Ridha Loukil
Pour savoir plus sur le projet Dotfive : http://www.dotfive.eu
