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Le spécialiste de l'épitaxie par jet moléculaire veut se développer dans le photovoltaïque

Le spécialiste de l'épitaxie par jet moléculaire veut se développer dans le photovoltaïque

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La société Riber, équipementier de l'industrie des semi conducteurs, a présenté son bilan et ses perspectives. Leader sur le marché de l'épitaxie par jets moléculaires, Riber compte élargir son activité aux technologies photovoltaïques et OLED

Spécialiste dans la fabrication de machines d’épitaxie à jet moléculaire (MBE) dédié à la production d’alliage semi-conducteur, la société Riber, qui détient déjà 55% de parts de marché, compte étendre son activité. Si sa technologie, qui repose sur l'évaporation de matériaux complexes sous forme de jets de molécules dans un environnement ultra-vide (la MBE) , trouve son application dans la fabrication d’alliages de semi-conducteurs composés, elle peut aussi être partiellement utilisée pour la fabrication de panneaux photovoltaïques et d’écrans OLED. "Les fabricants d’OLED utilise nos cellules d'évaporation, qui subliment et projettent les molécules sur des substrats de grande taille de manière contrôlée et pure", explique Frédérick Goutard, PDG de Riber.

Concernant le secteur photovoltaïque, la technologie Riber pourrait trouver une application dans la fabrication de concentrateurs solaires et de panneaux photovoltaïques  en couches minces de type CIGS. "L'enjeu est d'exploiter notre savoir-faire dans l'épitaxie par jets moléculaires pour accroître la valeur ajoutée crée et ainsi encourager notre développement en trouvant de nouveaux débouchés à nos technologies ", continue le PDG.

Riber met l'accent sur l'innovation, avec le développement de nouvelle gamme de cellules, notamment OEM pour les industriels du secteur des OLED et du CGIS. La société veut participer aux développements nécessaires et imposés par la logique de la loi de Moore ; laquelle passe à terme par la fabrication de semi-conducteurs hybrides. "Pour fabriquer des semi-conducteurs hybrides, il faut une interface, c'est à dire une fine couche d'oxyde entre le silicium et les matériaux III-V du tableau période des éléments. Notre technologie peut offrir une solution à la fabrication de cette interface". Une machine a été installée dans le centre de recherche IMEC, en Belgique, pour tester ce concept en partenariat avec les grandes industries de semi-conducteurs.

 

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