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Le silicium gagne ses galons de modulateur optique

J.-C. G.

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Fonctionnant à 1 GHz, le modulateur optique que vient de dévoiler Intel est 50 fois plus rapide que les dispositifs silicium disponibles.

Aussi tentant soit-il en optoélectronique - pour des raisons de coût notamment -, le silicium n'y a jusqu'à présent jamais vraiment percé. L'une des raisons est la relative lenteur des modulateurs optiques (20 MHz au maximum) réalisables avec ce matériau (sous forme de diodes). C'est pourquoi l'annonce d'un modulateur expérimental capable d'opérer à plus de 1 GHz bouleverse la donne dans cette spécialité et ouvre d'importantes perspectives en traitement de l'information.

Dévoilé par le laboratoire de technologie photonique Intel de San Jose (Californie), cette innovation repose sur la modulation de l'indice de réfraction du matériau mis en oeuvre dans un guide d'onde, lui-même inséré dans un condensateur Mos réalisé sur substrat SOI.

Jusqu'à 40 Gbit/s

Le faisceau lumineux (laser) à moduler est séparé en deux branches entre lesquelles il est possible, par influence électrique, de créer rapidement et à la demande un déphasage optique de 180°. En sortie, la réunion des deux faisceaux permet de reconstituer le signal initial ou de l'éteindre : l'équivalent optique des 0 et des 1.

Le guide présente une section de 2,5 x 2,3 µm sur une longueur de 8 mm. Intel précise que ces dimensions pourraient encore diminuer... et la fréquence de modulation augmenter. Jusqu'à permettre, peut-être, d'intégrer quatre modulateurs de ce type dans une seule puce capable d'assurer des débits de 40 Gbit/s.

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01/04/2009 | MATÉRIAUXR & D
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