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Le silicium gagne en conductivité quand il plie

Sophie Eustache

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L’application d’une contrainte axiale permet d’augmenter les performances de transistors à base de silicium sur isolant. C’est ce qu’ont démontré des chercheurs de l’INAC du CEA, grâce à la diffraction par rayons X. Ils ont ainsi réussi à mesurer la déformation individuelle de ligne de silicium précontraint à l’échelle nanométrique, et ont montré que, même lorsque l’interface silicium/isolant se dégrade, la conduction reste stable.

L’utilisation de silicium précontraint améliore la conductivité électrique jusqu’à un facteur 2,5, ce qui en fait[…]

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