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La voie est ouverte pour la conception des puces électroniques en 32 nm

Industrie et  Technologies
Le consortium de recherche Chip Alliance, mené par IBM, annonce une nouvelle structure de transistor plus rapide et moins gourmande en énergie. Et il propose déjà un kit de conception de ces futurs circuits intégrés en 32 nm.


Le consortium de recherche en microélectronique Chip Alliance, mené par IBM avec six partenaires (Chartered, Freescale, Infineon, Samsung, STMicroelectronics et Toshiba), annonce avoir franchi un pas décisif pour le développement de la prochaine génération de puces électroniques en 32 nm. Aujourd'hui, les circuits intégrés les plus avancés bénéficient d'une finesse de gravure de 45 nm.

Dans l'usine de semi-conducteurs de Big Blue à East Fishkill (Etat de New York - USA), les chercheurs de l'alliance ont mis au point une nouvelle structure de transistor, l'élément de base des puces électroniques, avec une grille en métal et isolant à forte constante diélectrique K (HKMG pour High K Metal Gate). Par rapport à la structure traditionnelle à grille en poly silicium et silice, cette technologie augmente la vitesse de traitement, tout en diminuant les fuites de courant et donc la consommation d'énergie. Elle rend possible la migration vers une gravure plus fine sans augmentation de la consommation de courant.

Ainsi, selon IBM et ses partenaires, grâce à la technologie HKMG, le passage de 45 nm à 32 nm se traduit par une amélioration de 35 % des performances à tension d'alimentation équivalente et par une baisse de la consommation de courant de 30 à 50 % en fonction de la tension.

Pour les partenaires de la Chip Alliance, il devient aujourd'hui possible de démarrer la conception des futurs circuits intégrés en 32 nm. Un kit de développement est disponible à cet effet. La fabrication des premiers prototypes, dans l'usine d'IBM, devrait commencer au troisième trimestre 2008. La production de série des premiers circuits intégrés en 32 nm est attendue avant la fin de 2009.

Ridha Loukil

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