Nous suivre Industrie Techno

La RFID à l’heure des très hauts débits

Ridha Loukil

Sujets relatifs :

, ,
Les chercheurs du CEA-Leti et de Nokia ont conjointement développé un circuit radiofréquence capable de porter le débit de communication entre le lecteur et l'étiquette RFID à 112 Mbit/s.

Le CEA-Leti, à Grenoble, et le Centre de recherche de Nokia (NRC), en Finlande, annoncent avoir mis au point un circuit frontal radiofréquence pour l'échange de données à très haut taux entre un lecteur - généralement un téléphone mobile - et une étiquette RFID. Ce circuit est actuellement utilisée par le constructeur finlandais de téléphones mobiles dans un prototype de recherche et de démonstration.

Ce développement porte le débit d’échange des données à 112 Mbit/s, ce qui est une amélioration spectaculaire par rapport à la technologie RFID actuelle, limitée en général à 424 Kbit/s.

Le protocole de communication radio utilisé combine deux techniques: l'ultra-large bande (UWB) pour le transfert de données, et l’ultra haute fréquence (UHF) pour la synchronisation et la mise sous tension à distance.

Le même circuit peut gérer la communication de la couche physique aux deux extrémités de la liaison radio, c'est à dire aussi bien dans la balise de mémoire (l'étiquette RFID) ou dans le lecteur. Il sera présenté lors du Symposium sur l'intégration électronique à très grande échelle, le VLSI Symposium 2010, qui aura lieu du 15 au 18 juin 2010 à Honolulu (Hawaii), aux Etats-Unis.

Ridha Loukil

 

Bienvenue !

Vous êtes désormais inscrits. Vous recevrez prochainement notre newsletter hebdomadaire Industrie & Technologies

Nous vous recommandons

Orsay Physics et le Cimap lancent Ciclop, un laboratoire pour affiner l'imagerie à l'échelle du nanomètre

Orsay Physics et le Cimap lancent Ciclop, un laboratoire pour affiner l'imagerie à l'échelle du nanomètre

L'entreprise Orsay Physics et le Centre de recherche sur les ions, les matériaux et la photonique (Cimap) ont annoncé le 6 juillet[…]

09/07/2020 | RechercheOptique
Déformer un semiconducteur 2D pour obtenir un photodétecteur sur silicium efficace dans le proche infrarouge

Déformer un semiconducteur 2D pour obtenir un photodétecteur sur silicium efficace dans le proche infrarouge

Mercedes s’associe à Nvidia pour développer des véhicules autonomes nouvelle génération d’ici 2024

Mercedes s’associe à Nvidia pour développer des véhicules autonomes nouvelle génération d’ici 2024

Plastronique, l'électronique en trois dimensions

Avis d'expert

Plastronique, l'électronique en trois dimensions

Plus d'articles