En 2002, Motorola dévoilait le premier prototype de Mram (Magnetic random access memory) atteignant 1 Mbit. Aujourd'hui, le même fabricant en est rendu à 4 Mbit. Comment y est-il parvenu ? Essentiellement en passant d'une finesse de gravure de 0,6 micron à 0,18 micron (à cinq couches de métal) actuellement. Et ce n'est qu'un début...
Cette technologie, à laquelle s'intéresse également le tandem IBM - Infineon Technologies (eux aussi parvenus à 0,18 micron) connaît des progrès si rapides que son passage au stade industriel et commercial semble désormais imminent.
Peu énergivore, rapide et reprogrammable
Concernant Motorola, cela devrait être pour l'année prochaine. Une bonne nouvelle, assurément, tant la Mram apparaît séduisante : non volatile (capable de conserver des informations sans alimentation électrique), reprogrammable, comme la Flash, mais plus endurante, peu gourmande en énergie, plus rapide que la Dram (Dynamic Ram, de type volatile) tout en étant potentiellement aussi dense et aussi peu coûteuse... « Les Mram auraient à terme la capacité à remplacer plusieurs familles de mémoires », estime ce fabricant.
Compatible avec les procédés Cmos standard, la Mram stocke l'information binaire sous forme magnétique dans une cellule MTJ (Magnetic Tunnel Junction) à un transistor. C'est la différence de polarisation entre deux films magnétiques positionnés de part et d'autre d'un isolant qui détermine la valeur de l'information.
Organisé en 256 Kmots de 16 bits, le modèle 4 Mbit, qui vient d'être présenté, est dès à présent en phase d'évaluation chez certains "sélectionnés".
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