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La plus petite mémoire non volatile

J-C.G.

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LES CHERCHEURS D'INFINEON ont réalisé une cellule Flash ouvrant la voie à des puces de 32 Gbits au lieu de 4 Gbits au maximum aujourd'hui.

Une structure de transistor en aileron (fin en anglais) : tel est le secret de fabrication de la dernière cellule Flash mise au point par les laboratoires de R&D d'Infineon à Munich. Présenté à l'occasion du congrès IEDM (International Electron Devices Meeting), qui s'est tenu le mois dernier à San-Francisco (États-Unis), cet élément de mémoire serait le plus petit au monde dans la catégorie des mémoires reprogrammables non volatiles. C'est-à-dire celles qui équipent les clés USB, certains baladeurs audio et les appareils photo numériques, entre autres.

Mesurant 20 nanomètres dans sa dimension la plus importante (celle de la grille), un tel élément devrait permettre à terme la réalisation de puces Flash d'une capacité de 32 Gbits, soit huit fois ce que l'industrie est capable de produire actuellement. Une prouesse qui était considérée comme inaccessible il y a encore quelques années en raison de l'importance des effets physiques indésirables à ce niveau de miniaturisation (sans parler des problèmes de lithographie).

Pour passer outre, les chercheurs ont en fait opté pour une structure de transistor à effet de champ tridimensionnelle (le fameux Finfet) dont le contrôle électrostatique s'avère nettement supérieur à celui d'une structure plane de dimension identique.

Ce transistor conserve à volonté l'information dans une zone de stockage isolante (nitrure) placée entre le coeur (fin en silicium de 8 nm) et la grille de commande (20 nm). Autre atout : un nombre d'électrons piégés réduit à 100 par bit (avec 2 bits par transistor) au lieu de 1 000 normalement. La consommation devrait donc sensiblement y gagner.

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