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La mémoire Sram réduit sa tension de moitié

Ridha Loukil

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La mémoire Sram réduit sa tension de moitié

Mémoire Sram à faible consommation

Fujitsu et SuVolta font la démonstration d’une mémoire Sram fonctionnant à une tension électrique de 0,4 V, deux fois plus basse que celle des mémoires actuelles. De quoi réduire la consommation d’énergie d'une multitude de produits électroniques.

Une mémoire Sram (static random access memory) fonctionnant à une tension électrique aussi basse que 0,425 V. Telle est la démonstration réalisée conjointement par le japonais Fujitsu Semiconductor et le californien SuVolta. De quoi ouvrir la voie à la construction de produits électroniques plus sobres en énergie et donc plus écologiques.

De l'électronique mobile aux serveurs informatiques, la consommation d'énergie constitue aujourd'hui la principale limitation à l’enrichissement des fonctionnalités. Cette consommation dépend essentiellement de la tension d'alimentation. La tension électrique appliquée aux circuits intégrés à transistors CMOS a été progressivement réduite jusqu’à 1 V pour la gravure de 130 nm. Mais, il n'a pas été possible d’aller plus loin, alors que la gravure est passée à 28 nm aujourd’hui pour la mémoire Sram.

En combinant la technologie de transistor à canal profondément appauvri (DDC) de SuVolta et le processus de production de Fujitsu Semiconductor, les deux sociétés ont réussi à réaliser une Sram de 576 Kbit fonctionnant à environ 0,4 V. Cette technologie reste compatible avec les infrastructures existantes de conception et de fabrication.

Fujitsu Semiconductor veut faire progresser la technologie, afin de répondre aux demandes des applications à faible consommation d'énergie et/ou fonctionnant à basse tension.

Ridha Loukil

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