La mémoire Sram réduit sa tension de moitié

Une mémoire Sram (static random access memory) fonctionnant à une tension électrique aussi basse que 0,425 V. Telle est la démonstration réalisée conjointement par le japonais Fujitsu Semiconductor et le californien SuVolta. De quoi ouvrir la voie à la construction de produits électroniques plus sobres en énergie et donc plus écologiques.

De l'électronique mobile aux serveurs informatiques, la consommation d'énergie constitue aujourd'hui la principale limitation à l’enrichissement des fonctionnalités. Cette consommation dépend essentiellement de la tension d'alimentation. La tension électrique appliquée aux circuits intégrés à transistors CMOS a été progressivement réduite jusqu’à 1 V pour la gravure de 130 nm. Mais, il n'a pas été possible d’aller plus loin, alors que la gravure est passée à 28 nm aujourd’hui pour la mémoire Sram.

En combinant la technologie de transistor à canal profondément appauvri (DDC) de SuVolta et le processus de production de Fujitsu Semiconductor, les deux sociétés ont réussi à réaliser une Sram de 576 Kbit fonctionnant à environ 0,4 V. Cette technologie reste compatible avec les infrastructures existantes de conception et de fabrication.

Fujitsu Semiconductor veut faire progresser la technologie, afin de répondre aux demandes des applications à faible consommation d'énergie et/ou fonctionnant à basse tension.

Ridha Loukil