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La mémoire résistive gagne en stabilité

R. L.

- En réduisant sa consommation de courant et les fluctuations de son fonctionnement, cette mémoire du futur franchit deux obstacles majeurs à son développement.

Les chercheurs de Fujtisu Laboratories, à Kawasaki, au Japon, ont développé une mémoire résistive (ReRam pour Resistive Random Access Memory) qui offre à la fois une faible consommation de courant et un fonctionnement bien plus stable que les prototypes précédents. Un résultat qui lève deux obstacles majeurs au développement de cette puce candidate au rang de mémoire universelle.

Non volatile, la ReRam s'appuie sur le changement de résistance d'un matériau en fonction de la tension électrique appliquée pour créer les deux états binaires 0 et 1 nécessaires à l'enregistrement de l'information numérique. Elle se présente comme l'une des alternatives à la succession de la mémoire flash dans les systèmes électroniques embarqués. À la clé, un potentiel de miniaturisation plus étendu et la possibilité d'une fabrication bon marché. Mais son développement se heurtait jusqu'ici à deux problèmes : la nécessité d'un courant élevé pour l'effacement et la fluctuation de la résistance à partir d'un certain nombre de cycles d'écriture.

En dopant au titane le matériau employé jusqu'ici pour l'enregistrement des données, en l'occurrence de l'oxyde de nickel, Fujitsu Laboratories parvient à effacer ces limites. La réécriture d'un bit d'information ne prend plus que 5 ns, soit 1 000 fois moins de temps que précédemment. En optimisant le voltage appliqué au transistor de commande, le courant nécessaire à l'effacement baisse à 100 µA. En même temps, les fluctuations de la résistance sont divisées par 10.

Le géant japonais poursuit ses travaux sur la ReRam en vue de la miniaturisation des procédés technologiques et du développement des circuits de commandes

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