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La mémoire Flash se fait plus fine

Ridha Loukil

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La mémoire Flash se fait plus fine

Toshiba et SanDisk font simultanément l'annonce de mémoires flash gravées en 19 nm.

© DR

Toshiba se prépare à produire la première puce de 64 Gbit en gravure de 19 nm.

Après Samsung puis IM Flash Technologies, c’est au tour de Toshiba de se préparer à passer à une gravure plus fine de ses mémoires Flash. Le géant japonais, numéro deux mondial dans ce secteur derrière le coréen Samsung, vient de présenter la première puce de 64 Gbit gravée en 19 nm. Elle sera proposée en échantillons dès la fin avril 2011 et la production en volume devrait démarrer entre juillet et septembre 2011.

Les fabricants de mémoires Flash sont engagés dans une course à la miniaturisation pour réduire la taille des puces. La bataille se joue au nanomètre près. Alors que Samsung va descendre à 22 nm, IM Flash Technologies, une société commune entre Intel et Micron Technology, opte pour une gravure de 20 nm. Toshiba va plus loin en descendant à 19 nm. Par comparaison, les microprocesseurs les plus avancés actuellement, sont gravés en 32 nm.

La puce de 64 Gbit stocke 2 bits par cellule, mais Toshiba a l'intention de commercialiser des produits à 3 bits par cellule. Les applications de prédilection sont les Smartphones, les tablettes et les disques de stockage statiques SSD (alternative à mémoires Flash aux disques durs). 

Toshiba ne précise pas le gain d’encombrement par rapport à la gravure de 24 nm mise en œuvre jusqu'ici, mais il indique qu’il pourra, grâce à la miniaturisation, combiner jusqu’à 16 puces de 64 Gbit dans un même boitier pour offrir une capacité de 128 Go.

Pour mémoire, le fabricant américain de cartes à mémoire SanDisk vient de faire une annonce similaire lui aussi en technologie 19 nm, puisqu'il est l'allié de Toshiba dans les mémoires Flash.

Ridha Loukil

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