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La mémoire Flash double de densité

R. L

- Toshiba et Samsung démarrent la production de masse de la puce de 16 Gbit.

Limitée jusqu'ici à 8 Gbit, la puce à mémoire Flash double sa densité pour offrir aujourd'hui jusqu'à 16 Gbit. De quoi étendre dans l'avenir la capacité de stockage des cartes mémoire, clés USB, téléphones mobiles ou baladeurs. Disponible en échantillonnage depuis le début de l'année chez Toshiba, elle entre maintenant en production de masse chez ce fabricant, au Japon, et également chez Samsung, en Corée du Sud.

Cette montée en densité résulte de la miniaturisation électronique. Ainsi, Toshiba passe d'une finesse de gravure de 70 nm pour la génération précédente de 8 Gbit à 56 nm pour celle de 16 Gbit. Samsung va encore plus loin en descendant à une géométrie de 51 nm, contre 60 nm auparavant. Ce qui fait aujourd'hui de la mémoire Flash le circuit intégré le plus avancé en matière de gravure. Seul Intel prévoit de battre ce record en lançant, à la fin de l'année, la fabrication de microprocesseurs en 45 nm.

Toshiba et Samsung ne se contentent pas de doubler la capacité. Ils augmentent aussi les vitesses de lecture et d'écriture. Le gain atteint 100 % chez le japonais et 80 % chez le coréen. La vitesse d'écriture, point faible de la Flash par rapport à d'autres types de mémoires, grimpe ainsi jusqu'à 10 Mo/s. Une page de 4 Ko est écrite en une fois, contre 2 Ko sur la génération précédente. Chez Samsung, la vitesse de lecture bondit à 30 Mo/s, contre 17 Mo/s auparavant.

La puce de 16 Gbit de Toshiba tient dans un boîtier TSOP à 48 broches de connexion, qui mesure 12 x 20 x 1,2 mm.

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