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La mémoire à changement de phase proche de la maturité

Ridha Loukil

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La mémoire à changement de phase proche de la maturité

Les fabricants arrivent aujourd'hui à réaliser des puces PCM de 128 Mbits en technologie 90 nm.

© DR

Numonyx présente ses avancées dans le développement de cette puce censée succéder à l’actuelle mémoire flash.

A l’International Electron Devices Meeting (IEDM), principal forum mondial sur l’électronique, qui se déroule du 07 au 09 décembre 2009 à Baltimore, aux Etats-Unis, Numonyx, joint-venture entre STMircoelectronics et Intel, a présenté les avancées de ses recherches sur la mémoire à changement de phase (PCM).
 

Cette mémoire non volatile figure parmi les puces favorites pour la succession de l’actuelle mémoire flash. A la clé, une amélioration de la densité, des vitesses de lecture/écriture et de l’endurance.
 
En coopération avec STMicroelectronics, Numonyx a réussi à intégrer une macrocellule PCM de 4 Mbit sur une plate-forme Cmos à 90 nm. De quoi ouvrir des applications embarquées telles que les cartes à puce et les microcontrôleurs industriels. La société a également réalisée une puce PCM de 128 Mbit en gravure de 90 nm et démontré la possibilité d’atteindre une capacité de 1 Gbit en gravure de 45 nm. Selon les chercheurs de Numonyx, la technologie PCM s’approche de la maturité nécessaire pour entrer dans les applications à haute densité. Numonyx prévoit de livrer les premiers échantillons de la puce de 1 Gbit au 1er trimestre 2010.

Ridha Loukil


Pour en savoir plus : http://www.numonyx.com
 

 

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