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La mémoire à changement de phase dans les starting-blocks

Industrie et  Technologies
STMicroelectronics et Intel livrent les premiers prototypes de cette puce, l'une des candidate à la succession de l'actuelle mémoire flash.


STMicroelctronics et Intel ont franchi une étape industrielle majeure dans le développement de la mémoire à changement de phase (PCM pour Phase Change Memory) en livrant les premiers échantillons fonctionnels à l'industrie aux fins d'évaluation, rapprochant cette technologie de sa phase d'adoption.

Objet de recherche depuis longtemps, la mémoire PCM bénéficie des progrès accomplis dans les CD et DVD réinscriptibles. Pour l'enregistrement de données, elle repose en effet sur le passage d'un matériau de l'état cristallin à l'état amorphe sous l'effet d'une tension électrique. Non volatile (elle conserve l'information en l'absence de courant), elle offre des vitesses de lecture et d'écriture élevées et une endurance (nombre de cycles d'écriture) supérieure aux mémoires Flash actuelles. Elle se présente donc comme l'une des candidates à la succession de la mémoire flash.

Pour obtenir des grandes densités de stockage, STMicroelectronics et Intel, qui travaillent conjointement sur le sujet depuis 2003, appliquent une structure multi-niveaux à l'instar de ce qui se fait aujourd'hui dans les mémoires flash de type NAND. Ainsi, il devient possible de stocker deux bits d'information par cellule au lieu d'un seul. Réalisée avec une finesse de gravure de 90 nm, la puce en cours d'échantillonnage offre une capacité de 128 Mbits. Une version de 256 Mbit/s est en cous de développement.

La fabrication de masse et la commercialisation de séries de cette nouvelle puce sera assurée par Numonyx, la nouvelle société regroupant les activités mémoires à semi-conducteurs de STMicroelectronics et Intel.

Ridha Loukil

Pour en savoir plus : http://www.numonyx.com (en cours de construction)

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