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L'imageur Cmos voit dans le noir

R. L.

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En remplaçant le silicium cristallin par un matériau développé pour les cellules solaires, Rohm étend la capacité du capteur Cmos vers l'infrarouge.

En partenariat avec le centre de recherche en photovoltaïque de l'AIST (Institute of Advanced Industrial Science and Technology), au Japon, le fabricant de composants Rohm développe un capteur d'images Cmos fonctionnant non seulement dans le domaine visible mais aussi dans l'infrarouge. Son prototype de 100 000 pixels se présente comme une puce de quelques millimètres de côté. Il offre un rendement quantique de 90 % dans le spectre visible et étend la sensibilité dans l'infrarouge jusqu'aux rayonnements de 1 300 nm. De quoi satisfaire les applications fonctionnant jour et nuit comme la vidéosurveillance, la vision en automobile ou la biométrie. Les capteurs Cmos actuels affichent un rendement de seulement 30 % et se limitent en infrarouge à 1 100 nm. Une sensibilité insuffisante pour voir dans le noir.

Objectif : réduire la taille des pixels de 10 µm à 2 µm

Ce développement est une retombée des recherches menées par l'AIST avec les sociétés Honda Soltec et Showa Shell Sekiyu sur une nouvelle génération de cellules solaires. Utilisant un composé de cuivre, indium, gallium et sélénium (CuInGaSe ou CIGS), ces cellules reviennent moins cher à produire que les produits actuels à base de silicium cristallin tout en offrant un rendement élevé de 13 %. Leur production de masse est sur le point de démarrer au Japon.

Pour les photosites, les éléments du capteur qui convertissent la lumière en courant, Rohm remplace justement le silicium cristallin par le CIGS. Les photosites sont déposés sur la couche d'interconnexion du circuit intégré de traitement associé. Le développement se poursuit dans le but de réduire la taille des pixels de 10 µm de côté actuellement à 2 ou 3 µm, celle des capteurs Cmos standards actuels.

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