© CEA/LETI
Pendant l'été, nous revenons chaque jour sur une innovation repérée et décryptée par la rédaction dans son service de veille techno quotidien, le Fil d'Intelligence Technologique.
Substituer le silicium dans les composants d'électronique de puissance en misant sur leurs équivalents en nitrure de gallium : c'est l'enjeu du projet MeGan, repéré dès la fin de l'année 2012 par la rédaction d'Industrie & Technologies.
Les semi-conducteurs au nitrure de gallium (GaN) sont de plus en plus étudiés. Ils pourraient disputer l’hégémonie du silicium dans le secteur de l’électronique de puissance. Avec les quinze partenaires du projet, Renault étudie jusqu'en 2017 la substitution des composants d'électronique de puissance par leurs équivalents en nitrure de gallium (GaN). La production de tranches de 200 millimètres de GaN en conditions industrielles est testée à Grenoble, sur une ligne pilote du CEA Leti, grâce à des machines de déposition de silicium reconverties.
![[Portrait] Fabrice Semond, le chercheur qui façonne les surfaces de silicium atome par atome](/mediatheque/3/9/4/000052493_210x140_std.png)
