Nous suivre Industrie Techno

abonné

L’arséniure de gallium d’indium, matériau prometteur pour la miniaturisation des transistors

Muriel de Véricourt

Le plus petit transistor Mosfet réalisé en arséniure de gallium d’indium a été présenté par des chercheurs du MIT lors du Congrès International Electron Devices Meeting, qui s’achève aujourd’hui à San Francisco. D’une longueur de 22 nanomètres, il pourrait constituer une alternative prometteuse au silicium.

Pour parvenir à ce niveau de miniaturisation, les chercheurs ont opté pour un procédé dans lequel l’une des trois électrodes constitutives du transistor s’aligne automatiquement entre les deux autres, afin de ne[…]

Pour lire la totalité de cet article, ABONNEZ-VOUS

Déjà abonné ?

Mot de passe perdu

Pas encore abonné ?

Bienvenue !

Vous êtes désormais inscrits. Vous recevrez prochainement notre newsletter hebdomadaire Industrie & Technologies

Nous vous recommandons

Une nouvelle approche pour moduler la mouillabilité d’un matériau

Fil d'Intelligence Technologique

Une nouvelle approche pour moduler la mouillabilité d’un matériau

Des chercheurs du MIT ont réussi à transformer des matériaux non-mouillants en matériaux mouillants en modifiant leur[…]

26/01/2022 |
Des films microbiens électroactifs pour protéger le béton armé de la corrosion marine : Biogalva passe au brevet

Des films microbiens électroactifs pour protéger le béton armé de la corrosion marine : Biogalva passe au brevet

Vers un « liquibot », un robot liquide pouvant capter des substances dans l'eau et les acheminer en surface

Fil d'Intelligence Technologique

Vers un « liquibot », un robot liquide pouvant capter des substances dans l'eau et les acheminer en surface

Recyclage : L’automatisation gagne du terrain dans les centres de tri

Recyclage : L’automatisation gagne du terrain dans les centres de tri

Plus d'articles