Nous suivre Industrie Techno

abonné

L’arséniure de gallium d’indium, matériau prometteur pour la miniaturisation des transistors

Muriel de Véricourt

Le plus petit transistor Mosfet réalisé en arséniure de gallium d’indium a été présenté par des chercheurs du MIT lors du Congrès International Electron Devices Meeting, qui s’achève aujourd’hui à San Francisco. D’une longueur de 22 nanomètres, il pourrait constituer une alternative prometteuse au silicium.

Pour parvenir à ce niveau de miniaturisation, les chercheurs ont opté pour un procédé dans lequel l’une des trois électrodes constitutives du transistor s’aligne automatiquement entre les deux autres, afin de ne[…]

Pour lire la totalité de cet article, ABONNEZ-VOUS

Déjà abonné ?

Mot de passe perdu

Pas encore abonné ?

Nous vous recommandons

Des bétons plus résistants au feu grâce aux fibres polymères recyclées

Des bétons plus résistants au feu grâce aux fibres polymères recyclées

Une solution permettant de pallier les problèmes de résistance au feu des bétons, a été mise au point par les[…]

Un hydrogel pour réparer le cerveau après un AVC

Un hydrogel pour réparer le cerveau après un AVC

Des cellules solaires plus efficaces grâce aux nanomatériaux

Des cellules solaires plus efficaces grâce aux nanomatériaux

Un graphène "pâte à modeler" pour étendre les usages

Un graphène "pâte à modeler" pour étendre les usages

Plus d'articles