Nous suivre Industrie Techno

abonné

L’arséniure de gallium d’indium, matériau prometteur pour la miniaturisation des transistors

Muriel de Véricourt

Le plus petit transistor Mosfet réalisé en arséniure de gallium d’indium a été présenté par des chercheurs du MIT lors du Congrès International Electron Devices Meeting, qui s’achève aujourd’hui à San Francisco. D’une longueur de 22 nanomètres, il pourrait constituer une alternative prometteuse au silicium.

Pour parvenir à ce niveau de miniaturisation, les chercheurs ont opté pour un procédé dans lequel l’une des trois électrodes constitutives du transistor s’aligne automatiquement entre les deux autres, afin de ne[…]

Pour lire la totalité de cet article, ABONNEZ-VOUS

Déjà abonné ?

Mot de passe perdu

Pas encore abonné ?

Bienvenue !

Vous êtes désormais inscrits. Vous recevrez prochainement notre newsletter hebdomadaire Industrie & Technologies

Nous vous recommandons

[Cahier Technique] Quand les matériaux industriels s'inspirent du vivant

Avis d'expert

[Cahier Technique] Quand les matériaux industriels s'inspirent du vivant

La capacité d’adaptation du vivant ne cesse de nous surprendre. Des millions d’années d’évolution aboutissent[…]

Composites : Les thermoplastiques gagnent du terrain

Dossiers

Composites : Les thermoplastiques gagnent du terrain

Une batterie Li-ion intégrée dans un matériau de structure

Fil d'Intelligence Technologique

Une batterie Li-ion intégrée dans un matériau de structure

Composites : l'automatisation s'attaque au placement de fibres

Dossiers

Composites : l'automatisation s'attaque au placement de fibres

Plus d'articles