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L’arséniure de gallium d’indium, matériau prometteur pour la miniaturisation des transistors

Muriel de Véricourt

Le plus petit transistor Mosfet réalisé en arséniure de gallium d’indium a été présenté par des chercheurs du MIT lors du Congrès International Electron Devices Meeting, qui s’achève aujourd’hui à San Francisco. D’une longueur de 22 nanomètres, il pourrait constituer une alternative prometteuse au silicium.

Pour parvenir à ce niveau de miniaturisation, les chercheurs ont opté pour un procédé dans lequel l’une des trois électrodes constitutives du transistor s’aligne automatiquement entre les deux autres, afin de ne[…]

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