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Infineon repousse les limites des transistors IGBT

Ridha Loukil

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Infineon repousse les limites des transistors IGBT

Cycle de fonctionnement des transistors IGBT commandant le moteur d'une machine à laver.

© DR

Le fabricant allemand de semiconducteurs propose des modèles de 600 et 1200 V qui réduisent les pertes de commutation et améliorent l’efficacité des applications.

Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT - Isolated Gate Bipolar Transistor) entre dans le domaine des grandes vitesses. L’un des spécialistes de ces composants électroniques de puissance, l’allemand Infineon Technologies, vient de présenter des modèles de 600 V et 1 200 V optimisés pour les applications de commutation à haute fréquence. Selon le fournisseur, ils établissent une nouvelle référence dans la réduction des pertes de commutation et l’amélioration de l'efficacité pour des topologies de commutation de puissance allant jusqu'à 100 kHz.

Cette 3e génération de transistors IGBT permet aux concepteurs de dispositifs d’électronique de puissance à haute vitesse de ''booster'' les performances en réduisant les pertes d’énergie par conduction et en améliorant le rendement global du système. Parmi les applications visées figurent les postes de soudure électrique, les convertisseur d’énergie solaire, les onduleurs et les alimentations sans coupure.

Selon Infineon Technologies, les pertes dans des applications de commutation à 100 kHz sont réduites de 35 % au repos par rapport à la génération précédente de transistors IGBT.

Conforme à la directive RoHS, qui restreint l’usage de substances chimiques dangereuses, sont disponibles à partir de 1,90 euro pour le modèle de 600 V et 5,10 euros pour celui de 1 200 V.

Ridha Loukil

Pour en savoir plus : http://www.infineon.com/IGBT

 
 

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