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IBM et Samsung renforcent leur R&D conjointe dans les semi-conducteurs

Ridha Loukil

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IBM et Samsung renforcent leur R&D conjointe dans les semi-conducteurs

Préparer les puces du futur.

© DR

Les deux entreprises IBM et Samsung vont collaborer en recherche fondamentale sur les matériaux semi-conducteurs, les procédés de fabrication et les technologies pour la prochaine génération de puces électroniques.

Des chercheurs de Samsung, numéro deux mondial des semi-conducteurs derrière Intel, vont rejoindre des scientifiques d'IBM au sein de l'Alliance Semiconductor Research Albany Nanotech à Albany (New York - USA), pour étudier ensemble de nouveaux matériaux et structures de transistors, ainsi que des technologies innovantes d'interconnexion et de packaging pour la prochaine génération de puces électroniques. De ce travail sortiront des systèmes électroniques de pointe optimisés en termes de consommation, de performance et d’encombrement.

IBM et Samsung renouvellent également leur accord de développement conjoint JDA des procédés Cmos nécessaires à la gravure de puces électroniques en 20 nm et plus.

Les retombées possibles concernet un large éventail d'applications des téléphones intelligents (smartphones) aux infrastructures de communication.

Ridha Loukil

Pour en savoir  plus : http://www.commonplatform.com 

 
 

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