Les couches de cette diode sont épitaxiques et déposées à l'aide d'un procédé d'évaporation.
© Hitachi
Ce composant aux spécifications hors normes, illustre les atouts de l’association entre nitrure de gallium et épitaxie.
Les chercheurs d’Hitachi annoncent le prototype d’une diode verticale capable de supporter 3 000 volts. Cette recherche sera détaillée lors du colloque de la Japan Society of Applied Physics (JAPS) qui se tiendra du 11 au 14 septembre 2012 à l’Université d’Ehime.
C’est avec le concours de l’Université d’Hosei, située à Tokyo au Japon, que la division câble d’Hitachi a mis au point une diode au nitrure de galium grace à un procédé d’évaporation (MOVPE). Ici, le substrat reçoit les couches semi-conductrices épitaxiales (effet de symétrie des cristaux).
Le résultat de cette méthode donne un composant capable de supporter une tension de 3 000 volts et plus, ainsi qu’une résistance de seulement 1 megaohms au centimètre carré dans le sens du courant.
Pour Hitachi Cable, de telles valeurs confirment l’intérêt du nitrure de gallium en qualité d’alternative au silicium, afin de mettre au point des composants à haute performances économes en énergie. La société estime que d’autres semi-conducteurs pourront exploiter la méthode de fabrication mise au point pour fabriquer cette diode.
Mathieu Brisou
L'annonce officielle
