Basé sur un substrat SOI (silicium sur isolant), les transistors FinFET permettent une limitation du courant de fuite d'électrons, générateur de pertes énergétiques. Le surcoût de production serait d’environ 10 %, au bénéfice d’une efficacité énergétique supérieure selon ses promoteurs. Explications en vidéo.
La structure et la fonction des transistors FinFET expliqués par la société de consultants spécialisés Threshold Systems.
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