Basé sur un substrat SOI (silicium sur isolant), les transistors FinFET permettent une limitation du courant de fuite d'électrons, générateur de pertes énergétiques. Le surcoût de production serait d’environ 10 %, au bénéfice d’une efficacité énergétique supérieure selon ses promoteurs. Explications en vidéo.
La structure et la fonction des transistors FinFET expliqués par la société de consultants spécialisés Threshold Systems.
Les plus lus
Bienvenue !
Vous êtes désormais inscrits. Vous recevrez prochainement notre newsletter hebdomadaire Industrie & Technologies
Nous vous recommandons
Fil d'Intelligence Technologique
Concevoir un transistor est souvent affaire de compromis. La diminution de la résistance pour réduire les pertes d’énergie[…]
![[Portrait] Fabrice Semond, le chercheur qui façonne les surfaces de silicium atome par atome](/mediatheque/3/9/4/000052493_210x140_std.png)
Fil d'Intelligence Technologique
