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COMPOSANTS

Mémoire Flash Nand en technologie 24 nm

Grâce à la technologie de gravure 24 nm (qui succède au 32 nm), cette famille de mémoires flash Nand offre des capacités de 4 à 64 Go sur une seule puce avec une vitesse améliorée. Elle intègre également un contrôleur réalisant la correction d'erreurs, qui soulage ainsi le processeur hôte de cette fonction et simplifie le protocole d'échange.

Globalement, la nouvelle série SmartNand 24 nm apporte une vitesse 1,9 fois plus élevée en lecture et 1,5 fois en écriture. Elle offre quatre options de vitesse de lecture et deux de vitesse d'écriture et un mode à économie d'énergie. Son interface est compatible avec l'interface Nand standard. Elle s'alimente entre 2,7 et 3,6 V et est disponible en boîtiers TSOP à 48 broches de 12 x 20 x 1,2 mm et LGA à 52 contacts de 14 x 18 x 1,0 mm.

Fournisseur

Toshiba Electronics Europe

Chargeur de batteries à énergie solaire

Conçu pour la charge des batteries d'appareils portables, ce convertisseur élévateur utilise la technologie de suivi du point de puissance maximale pour recueillir le plus d'énergie possible des cellules solaires. L'algorithme MPPT ajuste en permanence l'impédance d'entrée du chargeur pour maximiser le transfert d'énergie et optimiser le rendement du système. Fourni en boîtier TSSOP8, le circuit intégré SPV1040 fonctionne sur une tension d'entrée comprise entre 0,3 et 5,5 V. Il intègre un commutateur de puissance et un redresseur synchrone avec un rendement atteignant 95 %.

Fournisseur

STMicroelectronics

COMPOSANTS

Amplificateurs RF à faible bruit Destinés aux équipements Wi-Fi, Wimax et GSM, ces 4 amplis hyperfréquences intégrés (MMIC) présentent une linéarité élevée et un faible niveau de bruit. Les amplis 1,5 à 3 GHz et 2,5 à 4 GHz ont une fonction de coupure et de dérivation qui réduit la consommation lorsque le signal d'entrée est élevé. Destinées aux infrastructures GSM, les versions 0,4 à 1,5 GHz et 1,5 à 2,5 GHz. Les amplificateurs à faible bruit (LNA) MMIC exploitent la technologie pHEMT à l'arséniure de gallium à enrichissement de la marque. Encapsulés en boîtier SMT de 2 x 1,3 mm, les MGA-64606 (1,5 à 3,2 GHz) et MGA 65606 (2,5 à 4 GHz) ont un courant de polarisation réglable et une consommation inférieure à 100 µA en mode dérivation. Fournis en boîtier QFN à 16 broches, les MGA-13116 (0,4 à 1,5 GHz) et MGA 13216 (1,5 à 2,5 GHz) offrent respectivement des facteurs de bruit de 0,51 dB et 0,61 dB et des gains de 38 dB à 0,9 GHz et 35,8 dB à 1,95 GHz. Fournisseur Avago Technologies DESCRIPTION Référence Série MGA Caractéristiques Ces modules disposent d'une linéarité élevée qui permet de différencier les signaux désirés des signaux parasites. POINTS FORTS Pour les MGA-6 x 606 : courant de polarisation réglable, linéarité élevée en modes LNA et dérivationPour les MGA-13 x 16 : excellent niveau d'isolation, boîtier QFN à 16 broches.

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